Nm是什么单位的简写,nmn是什么单位

最近,芯片制造过程又成了IT数码圈里新闻最集中的热点,什么Intel公布2nm计划,加工厂4nm工艺可能是5nm啦,NV的4nm CPU不如Zen2(7nm)啦……等等。更早的是所谓的14nm堆叠相当于7nm一种,看到人晕都转,还疑窦丛生。制程是什么?以上新闻是真是假?今天就试着用最简单的方式来解释一下。

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首先当然是一切的来源,所谓的多少nm这是什么意思?事实上,我们不能考虑任何格栅,因为它最近的外观发生了很多变化。这些数据的真正含义是芯片中的各种刻线或显微结构下的沟渠宽度。光刻机任务是用光融化相应位置光刻胶,然后在没有光刻胶保护的情况下,用药水腐蚀刻线,因此刻线宽度与光刻机的精度关系最大。

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那么,为什么这么简单的宽度问题有很多争议呢?让我们一个一个地说吧。首先是工艺的标称。化学蚀刻的沟槽不会像凿子一样直上直下,但不同厂家使用的宽度采集标准不同,是量开口还是底部还是中心?宽度通常是不同的。反映实际效果,Intel后期的14nm工艺及其他厂家7nm工艺比较,看起来差别是1.5倍,而不是2倍。

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此外,芯片设计不仅仅是使用优秀工艺的细刷子。毕竟,用同样的细线画得很好。不用说,直接画一个简单而粗糙的图形并非不可能。此外,芯片架构的设计效率等问题也就不足为奇了。同一工艺下类似芯片的集成度和实际性能会有很大差异。

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还有一种说法需要解释,那就是14nm堆叠相当于7nm这件事。它有许多不同的解释,其中一个涉及过程,即生产14nm通过优化芯片光刻机等设备,配合更好的光路设计、光刻胶等材料,生产7台nm比如从65nm到28nm芯片可以使用相同的光刻机,或者至少相同的光刻核心-光源。

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然而,光源的制造线宽度是有限的。如果光刻机的光源配置最初设计为14nm,勉强生产7nm如果芯片,可能会导致芯片隐患增加,产量低的问题。比如更适合7nm光刻机等精细工艺,勉强能生产7台nm与旧光刻机相比,芯片的制造效果差异很大。

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但现在的问题是,芯片电路正在走向三维高效FinFET等待设计,需要更多的层数和准确的布线,这必须使用更精细和准确的过程来实现。这就是为什么我们的工程师现在已经完成了28条线nm甚至14nm工艺设备材料仍需开发EUV甚至更强的光刻机和其他设备,探索无法停止的原因。

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